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日本微控制器厂商瑞萨电子（Renesas Electronics）为削减芯片生产设备的高昂成本，计划将车用微控制器（MCU）全由台积电代工，并专注于软件及半导体研发。 今日瑞萨发布了目前业界第一款使用28nm工艺的集成闪存MCU，并于即日起开始交付样片。为了打造下一代更高效、更可靠的环保汽车和自动驾驶汽车，这款革命性的RH850/E2x系列微控制器内置了多达6个400Mhz的处理器核心，成为业界第一款能达到9600MIPS指令处理能力的车用控制片内闪存MCU。该系列MCU还具有多达16MB的内

集微网消息， 台积电预期，今年第4季7nm营收占比可达二成，全年营收占比可达10%，营收与客户规模傲视同业。台积电透露，该公司7nm效能和功耗都优于同业，客户需求超乎预期，这些客户涵盖手机应用处理器、网络处理器、可编程逻辑组件、图形处理器和游戏机特殊应用IC，以及挖矿芯片、人工智能等高速运算芯片。台积电指出，旗下7nm和7nm强化版都照既定的行程推进，其中7nm制程，已有18个客户导入产品设计定案；至于导入极紫外光（EUV）的7nm强化版会于明年量产，全数采用极紫外光的5nm，则会在2020年

台积电目前正在圣克拉拉举办第24届年度技术研讨会，它刚刚发布了一个可以为显卡带来革命性变革的技术Wafer-on-Wafer (WoW，堆叠晶圆)技术。顾名思义，WoW的工作方式是垂直堆叠层，而不是将它们水平放置在电路板上，就像3D NAND闪存在现代固态驱动器中堆叠的方式一样。这意味Nvidia和AMD GPU不需要增加其物理尺寸或缩小制造工艺即可获性能提升。 Wafer-on-Wafer (WoW，堆叠晶圆)技术通过使用形成硅通孔（TSV）连接的10微米孔彼此接触。台积电的合作伙伴Cade

Intel 10nm工艺还在苦苦挣扎，台积电和三星已经开始量产7nm，下一步自然就是5nm，台积电近日也首次公开了5nm的部分关键指标，看起来不是很乐观。 明年，台积电的第二代7nm工艺会在部分非关键层面上首次尝试使用EVU极紫外光刻系统，工艺节点从CLN7FF升级为CLN7FF+，号称晶体管密度可因此增加20%，而在同样密度和频率下功耗可降低10%。 台积电5nm(CLN5)将继续使用荷兰ASML Twinscan NXE: 3400 EUV光刻机系统，扩大EUV的使用范围，相比于第一代7n

Nvidia公告第1季财报，营收32.1亿美元年增65.6%，毛利率64.5%，营收及获利均优于预期，除AI与电竞维持热潮，搭配多款新游戏推出，GTX 1070及GTX 1070皆有不错的表现，预估2018年业绩仍可持续20%的年成长。 此外，第1季受到加密货币需求推升，营收达2.9亿美元、占比来到9%，成为另一个营收获利成长推动要角。但数据中心产品线营收7.01亿元，年成长71%，略低于市场7.03亿元预期，但展望云端产业趋势持续蓬勃发展，目前产品有Tesla P100与TeslaV100加