1月12日，瑞萨电子与氮化镓（GaN）带领人Transphorm达成3.39亿美元交易。此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术，助力其扩大业务范围至电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电力转换等市场。 通过Transphorm的汽车级GaN技术，瑞萨电子将开发更高效、小巧、轻便且低成本的电源解决方案，如电动汽车的X-in-1动力总成解决方案。交易预计于2024下半年完成，需满足股东批准、监管许可等条件。 *部分图文来自网络，如侵权请联系本号删除*

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于1月11日宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。 此次交易对Trans

1月11日，日本半导体大厂瑞萨电子和氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm宣布双方已达成最终协议，根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元（当前约为24.08亿人民币）。 该交易预计将于2024年下半年完成，具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。 公告称，此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术，从而将其业务范围扩大到电动

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。 此次收购将为瑞萨提供GaN(

Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）与适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路